UVLED結構組成

UVLED（紫外線LED）由一個或多個InGaN量子阱夾在較薄的GaN三明治結構之間組成,，形成的有效區(qū)域是一個覆蓋層。 通過將InN-GaN的相對比例更改為InGaN量子阱,，可以將發(fā)射波長從紫光

更改為其他光,。
AlGaN可以通過更改AlN比例來制作UVLED和量子阱層的包層，但是這些設備的效率和成熟度很差,。 如果活性的量子阱層是GaN,，則相反的是InGaN或AlGaN合金，

，則器件發(fā)射的光譜范圍為350?370nm,。


當LED泵上的藍色InGaN電子脈沖短時,，會產生紫外線。 含鋁的氮化物,，特別是AlGaN和AlGaInN可以制成短波長器件,，并獲得串聯(lián)波長UVLED。 波長高達

247nm的二極管已經商品化,，基于氮化鋁可以發(fā)射210nm紫外線的發(fā)光二極管已經成功開發(fā),，并且在250?270nm波段的UVLED也正在開發(fā)中。


III-V族金屬氮化物基半導體非常適合制造紫外線輻射源,。 以AlGaInN為例,，在室溫下，隨著各組分比例的變化,，復合過程中電子和空穴的輻射能量為1.89?6.2eV,。 如果LED

的有源層由GaN或AlGaN組成，則其紫外線輻射效率非常低,，因為電子和空穴之間的復合是非輻射復合,。 如果在此層中摻雜少量金屬In，則有源層的局部能級將發(fā)生變化,。


這時,，電子和空穴將發(fā)生輻射復合。 因此,，當有源層中摻雜有金屬銦時,，在380nm處的輻射效率比未摻雜時高19倍。

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