uvled光源照射強度是什么決定的,?
時間:2020-11-17 09:04來源:未知點擊: 次
UVLED紫外線面光源是傳統(tǒng)光纖高壓水銀燈光源機的替代產品,。 可以選擇
UV LED面光源LED,,分別具有365nm,385nm,395nm,405nm波長的不同功率,,對應于不同的UV膠水,
UV油墨,,
UV光油,,
UV油漆等,同時對應于不同的材料要求 ,,我公司可根據客戶要求制作各種規(guī)格
UVLED點光源,,
UVLED固化線光源,
UVLED面光源,。
1,。 紫外線發(fā)光機制的PN結端電壓構成特定的勢壘,,當勢壘電壓下降時,,當勢壘下降時,P和N區(qū)域中的大多數載流子將擴散到另一側,。 由于電子的流動比空穴的流動大得多,,因此在P區(qū)域的擴散中將有大量電子,并且注入了構成P區(qū)域的少量載流子,。 這些電子與價帶中的空穴結合,,再結合時獲得的能量以光能的形式釋放。 這就是PN結燈的原理,。
2.
uvled紫外線冷光源的發(fā)光效率通常稱為元素的外部量子效率,,它是元素的內部量子效率和元素的去除效率的乘積。 元素的所謂內部量子效率實際上是元素本身的光電轉換效率,,這主要與元素本身的特性(例如能帶,,組成材料的缺陷和雜質)有關。,元素的組成和結構,。 去除該成分的效率是指在吸收,,折射和反射組裝過程中生成的光子之后可以測量的光子數。 因此,,與
萃取效率有關的因素包括組件材料本身的吸收,,組件的幾何形狀,組件和包裝材料的
折射率差以及組件結構的散射特性,。 元素的內部量子效率與元素的分解效率的乘積是整個組件的發(fā)光效應,,即元素的外部量子效率。 早期組件開發(fā)的重點是提高其內部量子效率,。 主要方法是提高屏障的質量并改變屏障的結構,。 因此,電不容易轉化為熱量,,然后間接提高了UV LED的發(fā)光效率,,該效率約為內部
量子效率理論的70%,但這種內部量子效率幾乎接近理論極限,。 在這種情況下,,不可能通過提高元素的內部量子效率來增加元素的總成分。 因此,,元素的提取效率成為重要的研究課題,。 當前的方法主要是:顆粒形狀變化尖端結構
表面粗糙度技術。3.
uvled紫外線冷光源電氣特性電流控制裝置,,其負載特性類似于
UI曲線的PN結,,
uvled紫外線冷光源的正向電壓的微小變化會引起正向電流的大變化( 指數和反向泄漏電流很小,擊穿電壓,。 在實際使用中,,應該選擇它。 隨著溫度升高,,UV向導的電壓降低,,并且
溫度系數為負。 紫外線引導能量消耗并將其部分轉化為光能,,這正是我們所需要的,。 其余部分轉化為熱量,導致結溫升高,。
4,。
紫外LED光學特性UV
LED紫外線冷光源提供半角單色光,因為半導體能量和溫度升高,,所以其峰值波長隨溫度增加,。
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