Uvled固化機(jī)的結(jié)構(gòu)是什么,？Uvled固化機(jī)有什么優(yōu)點(diǎn),？

Uvled固化機(jī)的結(jié)構(gòu)是什么,？Uvled固化機(jī)有什么優(yōu)點(diǎn),？UVLED（紫外線LED）由一個(gè)或多個(gè)InGaN量子阱夾在較薄的GaN三明治結(jié)構(gòu)之間組成,，形成的有效區(qū)域是包層,。 通過將InN-GaN的相對(duì)比例更改為InGaN量子阱，可以將發(fā)射波長(zhǎng)從紫光更改為其他光,。AlGaN可以通過更改AlN比例來制作UVLED和量子阱層的包層,，但是這些設(shè)備的效率和成熟度很差。 如果活性的量子阱層是GaN,，與InGaN或AlGaN合金相反,，則器件發(fā)射的光譜范圍為350?370nm。

當(dāng)藍(lán)色I(xiàn)nGaNLED泵上的短電子脈沖時(shí),，會(huì)產(chǎn)生紫外線,。 含鋁的氮化物，特別是AlGaN和AlGaInN可用于制造短波長(zhǎng)器件,，從而獲得串聯(lián)波長(zhǎng)UVLED,。 波長(zhǎng)高達(dá)247nm的二極管已經(jīng)商業(yè)化,，基于氮化鋁且可發(fā)出210nm紫外線輻射的LED已成功開發(fā)，并且在250?270nm波段的UVLED也正在蓬勃發(fā)展,。
III-V族金屬氮化物基半導(dǎo)體非常適合制造紫外線輻射源,。 以AlGaInN為例，在室溫下,，隨著各組分比例的變化,，復(fù)合過程中電子和空穴的輻射能量為1.89?6.2eV。 如果LED的有源層僅由GaN或AlGaN組成,，則其紫外線輻射效率非常低,，因?yàn)殡娮雍涂昭ㄖg的復(fù)合是非輻射復(fù)合。 如果在此層中摻雜少量金屬In,，則有源層的局部能級(jí)將發(fā)生變化,。 此時(shí)，電子和空穴將發(fā)生輻射復(fù)合,。 因此，當(dāng)有源層中摻雜有金屬銦時(shí),，在380nm處的輻射效率比未摻雜時(shí)高19倍,。
未來高強(qiáng)度UV技術(shù)小巧，低溫且環(huán)保,，不需要燈泡,。
FUTANSI技術(shù)UV LED光固化系統(tǒng)，非常適合系統(tǒng)集成,，UV LED光固化系統(tǒng)可配置為任意長(zhǎng)度的光,，適用于各種固化應(yīng)用，包括半導(dǎo)體產(chǎn)品,，VCD,，DVD頭，液晶,，光學(xué)透鏡,，精密電子元件， 醫(yī)用針頭木地板涂料固化等的粘接和固定,，以及特殊的紫外線環(huán)境等,。UV LED光固化系統(tǒng)采用日本LED集成技術(shù)，結(jié)合高密度LED芯片
矩陣集成,，微光學(xué)和微冷卻技術(shù) 一,，高效率微光機(jī)電系統(tǒng)封裝的形成。
采用LED型集成技術(shù)的高強(qiáng)度紫外線燈系統(tǒng)具有以下優(yōu)點(diǎn)：
1.降低擁有成本
2.無需維護(hù),，從而提高了生產(chǎn)效率
3.在整個(gè)過程中都穩(wěn)定 紫外線輸出的生命周期,，提高產(chǎn)量
第四,，即時(shí)切換，降低運(yùn)營(yíng)成本,。 照明系統(tǒng)僅在固化過程中需要打開,。

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